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SI5447DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5447DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5447DC-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5447DC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5447DC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5447DC-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：76 毫歐 @ 3.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

STD03Y-X
標(biāo)記 TE Connectivity MARKER SNAP-ON X 1.9-2.65MM YEL
SRS-2-975
電路板襯墊，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER
SI5447DC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
SMAJ54AHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 54V 5% SMA
ST050PG2BPCF
壓力 Honeywell Sensing and Control 圓柱型，金屬 SENSOR GAGE 0-50 PSI
RT9261-27GX
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Richtek USA Inc TO-243AA IC REG BOOST 2.7V 60MA SOT89-3
SI2343CDS-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT-23
STD06W-0
標(biāo)記 TE Connectivity MARKER SNAP-ON 0 2.6-3.5MM WHITE
SSA-114-W-T-RA
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 3-SIP CONN RCPT .100" 14POS TIN WW R/A
ST083S08PFN0
SCR - 單個(gè) Vishay Semiconductors TO-209AC，TO-94-4，接線柱 SCR INVERTER 800V 85A TO-94
RT9261-35GB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG BOOST 3.5V 60MA SOT23-5
SRS-2-985
電路板襯墊，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER
STD06W-7
標(biāo)記 TE Connectivity MARKER SNAP-ON 7 2.6-3.5MM WHITE
SMAJ54CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 54V BIDIR SMA
SSA-116-S-T
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 3-SIP CONN RCPT .100" 16POS TIN PCB

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