SI6467BDQ-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI6467BDQ-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
SI6467BDQ-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
SI6467BDQ-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:帶卷 (TR)
SI6467BDQ-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI6467BDQ-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:6.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
- 評估演示板和套件 Exar Corporation 48-TQFP EVAL BOARD FOR ST16C654 68PLCC
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16PT INPUT PNP
- 矩形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd DO-214AA,SMB CONN CABLE BUSHING 4.0MM
- 標記 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊(14 引線) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP(0.525",13.35mm),側端口 SENSOR PRES 30PSI ABSO 5V DIP
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 EPSON 20-VSOJ IC REAL TIME CLOCK 20-VSOJ
- 接口 - UART(通用異步接收器/發(fā)送器) Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 64B QUAD 64LQFP
- 標記 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊(14 引線) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT
- 功率 Signal Transformer 2-SMD XFRMR PWR 115V 12VAC .50A
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP(0.525",13.35mm),側端口 SENSOR PRES .25BAR GAUG 5V DIP
- SCR - 單個 Vishay Semiconductors TO-200AB,A-PUK SCR INVERTER 1000V 330A A-PUK
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 EPSON 20-VSOJ IC REAL TIME CLOCK 20-VSOJ