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SI6562CDQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A，6.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 5.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 10V; 功率_最大：1.6W，1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6562CDQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A，6.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 5.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 10V; 功率_最大：1.6W，1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6562CDQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A，6.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 5.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 10V; 功率_最大：1.6W，1.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6562DQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6562DQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6562DQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SR075C223KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.022UF 50V 10% RADIAL
MS27497T18B28PLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 28POS WALL MT PINS
SI6562DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
MS3100E22-14PZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19 POS WALL MNT W/PINS
SR211A391KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 390PF 100V 10% RADIAL
MS3106E14S-7SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 3 POS STRAIGHT W/SCKT
SR075C223MAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.022UF 50V 20% RADIAL
T495T336K004ZTE1K2
鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 33UF 4V 10% 1411
MS27497T18B32SB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 32POS WALL MNT W/SCKT
SR211A3R6CARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3.6PF 100V RADIAL
MS27497T18B32SLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 32POS WALL MT SCKT
MS3106E14S-7SXF187
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 3 POS STRAIGHT W/SCKT
SR075C392KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
T495U157K004ZTE200
鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 150UF 4V 10% 1411
MS3100E22-18S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 8 POS WALL MNT W/SCKT

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