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SI6925ADQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6925ADQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6925ADQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6925ADQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6925ADQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6925ADQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 3.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

RT0805CRD0710K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 10.2K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT0402CRE0716R2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 16.2 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI6562DQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
SH194P36
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft MINI-MZR SHLD PIN STR SGL END
RTD-1209/P-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN +/-09VOUT
SI4206-EVB
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL FOR SI4206
SR151A121KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 120PF 100V 10% RADIAL
RT0805CRD07127RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 127 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT-375-1/2-X-STK
熱縮管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING
RTD-1212
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN +/-12VOUT
SH195P144
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft MINI-MZR SHLD PIN STR SGL END
SR151A150JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 15PF 100V 5% RADIAL
SI4210-E-KT-EVB
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Silicon Laboratories Inc BOARD EMULATION FOR SI4210
RT0805CRD0712KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 12.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT-375-1-X-STK
熱縮管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING

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