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SI6954ADQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6954ADQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6954ADQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6954ADQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6954ADQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6954ADQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

RTD-0515
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT
SSCDRRN100MGAA5
壓力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP（0.525"，13.35mm），雙端口，同側(cè) SENSOR PRES .1BAR GAUG 5V DIP
ST42ETB501
微調(diào)器 Copal Electronics Inc TRIMMER 500 OHM 0.25W SMD
RV1206FR-07392KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 392K OHM 1% 1206 TF
STD17W-V
標(biāo)記 TE Connectivity TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
SRT2-ID32ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS
RTD-0515/H-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT
ST1L02PU25R
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 6-VDFN 裸露焊盤(pán) IC REG LDO 2.5V 1A DFN-6D
SSCMANN001PGAA5
壓力 Honeywell Sensing and Control 8-SMD，頂部端口 SENSOR PRES 1PSI GAUG 5V SMD
STD17W-Y
標(biāo)記 TE Connectivity TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
RV1206FR-07392KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 392K OHM 1% 1206 TF
SRT2-MD16T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 16PT NPN INPUT
ST1L05PU25R
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 6-VDFN 裸露焊盤(pán) IC REG LDO 2.5V 1.3A 6-DFN
RTD-0515/H-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT
ST42ETG103
微調(diào)器 Copal Electronics Inc TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD

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