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SI7110DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 21.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7110DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 21.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7110DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 21.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7110DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 21.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7110DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 21.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7110DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 21.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

MS3106E16S-1S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 7POS STRAIGHT W/SCKT
MS27497T20B2SLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 65POS WALL MT SCKT
SR211A681JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
MS3100E24-7P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 16POS WALL MNT W/PINS
SI7108DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
MS3106E16S-4P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/PINS
T495X108K006ZTE100
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 2917
MS27508E14B35SD
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS BOX MNT W/SCKT
SR211A750JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 75PF 100V 5% RADIAL
MS3106E16S-4PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/PINS
MS27497T20B35PBLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 79POS WALL MT PIN
T495X156K050ATE300
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 15UF 50V 10% 2917
MS27508E14B37PB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS BOX MNT W/PINS
SR211A820JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL
MS3100E28-10S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS WALL MNT W/SKTS

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