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<![CDATA[<var id="pbu6z"></var>]]>|
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SI7114DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 18.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
- 包裝：Digi-Reel®
SI7114DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 18.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
- 包裝：帶卷 (TR)
SI7114DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 18.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI7114DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 18.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
- 包裝：Digi-Reel®
SI7114DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 18.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
- 包裝：帶卷 (TR)
SI7114DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 18.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 陣列，信號變壓器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 3.3UH SMD
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 42POS SNGL TIN
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10PF 200V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4210
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 600W 8.0V 5% SMA
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Silicon Laboratories Inc 36-VFQFN 裸露焊盤 IC UP-PROG CLK MULTIPLIER 36QFN
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 86POS DUAL GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10PF 200V 5% RADIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Silicon Laboratories Inc BOARD EMULATION FOR SI4210
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 8.5V UNIDIRECT SMA
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Silicon Laboratories Inc 36-VFQFN 裸露焊盤 IC CLOCK MULT JITTER ATTEN 36QFN
- 矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL GOLD
0755-82561519 
0755-83226745 
