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SI7119DN-T1-E3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

SI7119DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：666pF @ 50V

功率_最大：52W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：帶卷 (TR)

SI7119DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：666pF @ 50V

功率_最大：52W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：Digi-Reel®

SI7119DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：666pF @ 50V

功率_最大：52W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：剪切帶 (CT)

• SD-60BV

  連接器，互連器件    CUI Inc    B-43，PUK    CONN DIN RECPT VERTICAL PCB 6P

• SCD114

  尖端，噴嘴    Apex Tool Group    -    TIP REPLACEMENT 1.8MM FOR SCD100

• SI7116DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

• SI3493DV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP

• RNF18FTD1K96

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 1.96K OHM 1% AXIAL

• SI4484EY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 8-SOIC

• RNCP0603FTD18K2

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 18.2K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• MDM-51SH025B

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS SKT 10"

• SD6CA-002G-000000

  固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 2GB

• SI3495DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

• RNF18FTD1M00

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 1M OHM 1% AXIAL

• SD6CA-004G-000000

  固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 4GB

• RNCP0603FTD19K1

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 19.1K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• MDM-51SH025L

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D PLUG 51POS SKT 10" WIRE

• SI4486EY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC