SI7370DP 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SI7370DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：剪切帶 (CT)

SI7370DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：Digi-Reel®

SI7370DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

SI7370DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

• SI4686DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

• SCE016SD3SS1B

  蜂鳴器    Mallory Sonalert Products Inc    矩形接線盒    BUZZ VDC 2.9KHZ 1M DELAY OFF

• SI7356ADP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

• RNF14BAE43K2

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 43.2K OHM 1/4W .1% AXIAL

• RNCP0603FTD6K04

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 6.04K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• RNCF1206BKC316K

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 316K OHM 1/8W 0.1% 1206

• RNF12FTC422R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 422 OHM 1/2W 1% AXIAL

• SD8328-4R7-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR SHIELDED 4.7UH SMD

• SI4688DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

• RNF14BAE4K37

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 4.37K OHM 1/4W .1% AXIAL

• RNCF1206BKC332R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 332 OHM 1/8W 0.1% 1206

• RNCP0603FTD6K49

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 6.49K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• SD8350-101-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD

• RNF12FTC44K2

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 44.2K OHM 1/2W 1% AXIAL

• SCE016XD3DP3B

  蜂鳴器    Mallory Sonalert Products Inc    矩形接線盒    BUZZ VDC 2.9KHZ SLOW DBL PULSE