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SI7415DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7415DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7415DN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7415DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7415DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7415DN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SR201C104KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL
MS3106F32-9S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 14POS STRAIGHT W/SCKT
SI1469DH-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH 20V SC-70-6
SI7409ADN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8
SIP21107DT-33-E3
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Vishay Siliconix SOT-23-5 細(xì)型，TSOT-23-5 IC REG LDO 3.3V .15A TSOT23-5
SML-210PTT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） LED 555NM GREEN WTR CLR 0805 SMD
SR152A560JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 56PF 200V 5% RADIAL
SR201C104MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
MS3106F36-10P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 48 POS STRAIGHT W/PINS
SIP21107DVP-12-E3
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Vishay Siliconix PowerPAK? TSC-75-6 IC REG LDO 1.2V .15A SC75-6
SR152A5R0DAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 5PF 200V RADIAL
SML-210YTT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） LED 585NM YLW WTR CLR 0805 SMD
SR201C153JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 5% RADIAL
MS3106F36-14P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS INLINE W/PINS
SI1470DH-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 30V SC-70-6

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