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SI7431DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7431DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7431DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7431DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7431DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7431DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫歐 @ 3.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

VI-B3M-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B3T-MW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 100W
SI7431DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC
SKY13345-368LF
RF 開關 Skyworks Solutions Inc 12-UFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH SP3T 3.5GHZ 12QFN
VJ1808A910JBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 91PF 50V 5% NP0 1808
VI-B44-IU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
VI-B4Z-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B5P-EY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
VI-B3M-IY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
SKY13345-368LF-EVB
RF 評估和開發(fā)套件，板 Skyworks Solutions Inc 12-UFQFN 裸露焊盤 EVAL BOARD FOR SKY13345
VJ1808A910JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 91PF 1.5KV 5% NP0 1808
VI-B4Z-EW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B3T-MX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
VI-B3M-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
VI-B44-IV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W

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