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SI7439DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 5.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7439DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 5.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7439DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 5.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7439DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 5.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7439DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 5.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7439DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 5.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

STPS10170CB-TR
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DIODE SCHOTTKY 170V 2X5A DPAK
SI7434DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
SM4124FT68R1
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 68.1 OHM 2W 1% WW 4124
STS4DNF60
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC
SWC-5.0-10
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 徑向 INDUCTOR 10UH 5A 260KHZ CLIP
SIA443DJ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
SSI-RM3091SYD-150
面板指示器，指示燈 Lumex Opto/Components Inc LED 3MM SUP YEL 6"LDS REAR PNLMT
SM4124FT78R7
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 78.7 OHM 2W 1% WW 4124
SZ1SMB15CAT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 15V SMB
STS4DNF60
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC
SWH.1E.650.CTMPV
連接器，互連器件 LEMO 徑向 COUPL.W.NUT TRIAX
SIA445EDJ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V SC-70
SSI-RM3091USBD-150
面板指示器，指示燈 Lumex Opto/Components Inc LED 3MM SUPBLUE 6"LDS REAR PNLMT
SZ1SMB22AT3G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 22V SMB
SM4124FT866R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 866 OHM 2W 1% WW 4124

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