SI7445DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫歐 @ 19A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7445DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.7 毫歐 @ 19A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Rohm Semiconductor SOT-723 MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
- 矩形- 接頭,公引腳 Samtec Inc 矩形外殼 - 開路 FFSD SHRD HDR W/O STRAIN RELIEF
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402(1005 公制) RES 1.02K OHM 1/16W .5% SMD 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 787K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 100V 5% RADIAL
- 支架 - 熱管理 Hammond Manufacturing FAN HEATER 15W 1.5A 2.6"
- DC DC Converters Recom Power - CONVERTER DC/DC 5VIN 5VOUT 2W
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 806K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 0.8PF 150V 0605
- 支架 - 熱管理 Hammond Manufacturing FAN HEATER 30W 3.0A 2.6"
- DC DC Converters Recom Power - CONVERTER DC/DC 12VIN 5VOUT 2W
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 5PF 100V RADIAL