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SI7456DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 9.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7456DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 9.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7456DP-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 9.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7456DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 9.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7456DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 9.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7456DP-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 9.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SKY13348-374LF_EVB
RF 評估和開發(fā)套件，板 Skyworks Solutions Inc 6-XFDFN 裸露焊盤 EVAL BOARD FOR SKY13348-374LF
SI7456CDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
VI-B5P-IU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
VI-B3M-MV
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
VJ1808A910KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 91PF 630V 10% NP0 1808
VJ1812A510KBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 51PF 200V 10% NP0 1812
VI-B44-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
SKY13352-337LF
RF 開關(guān) Skyworks Solutions Inc 12-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH DPDT 6GHZ 12QFN
VI-B3V-CU
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
VI-B3M-MV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
VJ1808Y101MXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 100PF 250V 20% X7R 1808
SKY13353-337LF-EVB
RF 評估和開發(fā)套件，板 Skyworks Solutions Inc 12-VFQFN 裸露焊盤 EVAL BOARD FOR SKY13353
VJ1812A510KBFAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 51PF 2KV 10% NP0 1812
VI-B44-IX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
VI-B3M-MW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W

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