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SI7460DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7460DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7460DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7460DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7460DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7460DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.6 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI4739-C40-GUR
RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC RX FM/WB RAD RDS/RBDS 24SSOP
SI7460DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
RNF14BAE83K5
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/4W 83.5K OHM 0.1% AXIAL
RNCP0805FTD22R1
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES 22.1 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
RNCF1206BKE1K33
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 1.33K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF12FTD10K5
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 10.5K OHM 1/2W 1% AXIAL
SDA01H0SBR
DIP C&K Components 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SWITCH DIP TAPE SEALED 1POS SMD
SI4754-A10-AM
RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盤 IC CAR RADIO RX AM/FM 32QFN
SCE028SA2DP2B
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC 2KHZ FAST DBL PULSE
RNF12FTD118K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 118K OHM 1/2W 1% AXIAL
SDA02H0BD
DIP C&K Components 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SWITCH DIP TOP SLIDE FLUSH 2POS
RNCF1206BKE1K78
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 1.78K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNCP0805FTD249R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES 249 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
SI4755-A10-AM
RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盤 IC CAR RADIO RX AM/FM 32QFN
SCE028SA3SD5B
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC 2.9KHZ 1M DELAY OFF

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