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SI7485DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7485DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7485DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7485DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7485DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7485DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

VJ1812A561JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 560PF 630V 5% NP0 1812
VI-B44-MX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
SI7485DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC
VI-B5P-MU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
VI-B3V-CY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W
VI-B3N-CY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
VJ1808Y122JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 1200PF 1.5KV 5% X7R 1808
SKY65137-11
RF 放大器 Skyworks Solutions Inc 20-LFLGA IC AMPLIFIER FOR 802.11 SMD MCM
VJ1812A561KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 560PF 100V 10% NP0 1812
VI-B5P-MU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
VI-B3V-CY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W
VJ1808Y122KBFAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 1200PF 2KV 10% X7R 1808
SKY65338-21
RF 前端 (LNA + PA) Skyworks Solutions Inc 12-LQFN 裸露焊盤 IC FRONT END 450-470MHZ 12-MCM
VI-B44-MY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
VJ1812A562KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 5600PF 50V 10% NP0 1812

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