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SI7530DP 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI7530DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W，1.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7530DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W，1.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7530DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W，1.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7530DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A，3.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W，1.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI6562DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
SI32177-B-GM
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 42-WFQFN 裸露焊盤(pán) IC PROSLIC FXS -135V 42QFN
SI7530DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
RYM22DTAH-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
SI4564DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
RT1206DRE076K49L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 6.49K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI6913DQ-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
SMAJ150
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 150V 400W UNIDIR SMA
SST1.5M-C
扎帶 Panduit Corp 2-SMD，方形端塊 *STA-STRAP* TIE
SI4564DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
SI6913DQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
SMAJ150A
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 150V 400W UNI 5% SMD
RT1206DRE076K98L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 6.98K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RYM22DTAN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
SST1.5S-M
扎帶 Panduit Corp 2-SMD，方形端塊 *STA-STRAP* TIE