SI7686DP 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SI7686DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V

功率_最大：37.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：Digi-Reel®

SI7686DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V

功率_最大：37.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

SI7686DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V

功率_最大：37.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：剪切帶 (CT)

SI7686DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V

功率_最大：37.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

• SQCB7M820JAJWE

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 82PF 500V 5% 1111

• SI7668ADP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

• RT0402DRD07390RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 390 OHM 1/16W .5% SMD 0402

• SQCAEM150JATME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 15PF 150V 5% 0605

• RTO050F1R000JTE1

  通孔電阻器    Vishay Sfernice    TO-220-2    RES 1.0 OHM 50W 5% TO-220

• SHIPLBL-022

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 4X6" BLK/RED ON WHT 500/PK

• SR151C122KAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 1200PF 100V 10% RADIAL

• SQCB7M820JATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 82PF 500V 5% 1111

• SI4721-B20-GMR

  RF 收發(fā)器    Silicon Laboratories Inc    20-UFQFN 裸露焊盤    IC TXRX FM RADIO RDS/RBDS 20UQFN

• SR151C221KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL

• SQCAEM160GAJWE

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 16PF 150V 2% 0605

• SHIPLBL-024

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK

• RTO050F56R00JTE1

  通孔電阻器    Vishay Sfernice    TO-220-2    RES 56 OHM 50W 5% TO-220

• SI4730-B20-GM

  RF 接收器    Silicon Laboratories Inc    20-UFQFN 裸露焊盤    IC RX RADIO MULTI-BAND 20UQFN

• SQCB7M8R2BAJME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 8.2PF 500V 1111