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SI7842DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7842DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7842DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7842DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7842DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7842DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SR215E103MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 20% RADIAL
SQCAEM1R8CATWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 1.8PF 150V 0605
RT0402DRD076K65L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 6.65K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SI7842DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SHIPLBL-057-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 3X4" BLCK/RED ON WHT 50/PK
SQCB9M161JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 160PF 300V 5% 1111
SR151C561KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 100V 10% RADIAL
SI4778DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SR215E104MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
RT0402DRD0771K5L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 71.5K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SHIPLBL-059-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 1X1" BLUE/RED ON WHT 50/PK
SQCB9M161JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 160PF 300V 5% 1111
SR151C561MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 100V 20% RADIAL
SI4804CDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
RT0402DRD0775RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 75.0 OHM 1/16W .5% SMD 0402

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