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SI7852ADP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1825pF @ 40V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7852ADP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1825pF @ 40V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7852ADP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1825pF @ 40V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7852ADP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1825pF @ 40V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7852ADP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1825pF @ 40V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7852DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

S82Y-VM30B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT D BOTTOM 300W
SA3545/P
圓形 - 觸點(diǎn) Bulgin DO-204AC，DO-15，軸向 CONT PIN CRIMP 14-18AWG GOLD
SI7852ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO
SM6S30A-E3/2D
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 6W 30V 5% SMD DO-218AB
S3M
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC RECTIFIER SIL 3A 1000V DO-214AB
MIC49300-0.9BR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Micrel Inc SPAK-5 IC REG LDO 0.9V 3A SPAK-5
SI4840BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
S82Y-VM30C
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERMINAL AND HOUSING
S82Y-H05F
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRACKT FRONT FOR S82H-50
SM6S36A-E3/2D
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 6W 36V 5% SMD DO-218AB
SI4840-DEMO
RF 評(píng)估和開發(fā)套件，板 Silicon Laboratories Inc SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
MIC49300-1.2BR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Micrel Inc SPAK-5 IC REG LDO 1.2V 3A SPAK-5
S82Y-VM30D
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT G DIN-RAIL 300W
S82Y-H05F
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRACKT FRONT FOR S82H-50
S3MB-13-F
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB DIODE GPP 3A 1000V SMB

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