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SI7872DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7872DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7872DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7872DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7872DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7872DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SLF12565T-470M2R4-H
固定式 TDK Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 47UH 2.4A 20% SMD
SRR1260-6R1Y
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 6.1UH 6.6A SMD
SI7850DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
MMZ1608D301B
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 300 OHM 300MA 0603
SSL-LX100133AC
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED T-10MM 605NM AMBER CLEAR
SS-102-G-2-N
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 徑向，Can CONN RCPT .100" 2POS GOLD T/H
SMAJ8.0CAHE3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 8.0V 5% SMA
SLF12565T-4R2N5R5-H
固定式 TDK Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 4.2UH 5.5A 30% SMD
ST72F324J6TC
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32K FLASH 44-TQFP
MMZ1608F121B
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 120 OHM 200MA 0603
SS-102-TT-2
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 徑向，Can CONN RCPT .100" 2POS TIN T/H
SMAJ8.0HE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 8.0V 10% SMA
SSL-LX100133SRD
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED T-10MM 660NM RED DIFF
ST72F324K2B6
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 32-SDIP（0.400"，10.16mm） IC MCU 8BIT 8K FLASH 32-SDIP
SLF12565T-7R0N5R0-H
固定式 TDK Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 7UH 5A 30% SMD

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