當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SI7888DP-T1-GE3"的供應(yīng)信息

SI7888DP-T1-GE3 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

SI7888DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 12.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

• SQCBEA821JATME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 820PF 150V 5% 1111

• SHIPLBL-088-50

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 5X3" RED ON WHITE 50/PK

• SQCAEM2R2BATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.2PF 150V 0605

• SR891C153KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL

• SI7882DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC

• SR217A270JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 27PF 500V 5% RADIAL

• SI4838DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

• RT0603DRD0713KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 13K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SHIPLBL-089

  標(biāo)簽，標(biāo)記    3M (TC)        LABEL 10X8" BLACK ON RED 250/PK

• SR891C222KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL

• SQCBEM102JAJME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 1000PF 150V 5% 1111

• SR217A330JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 33PF 500V 5% RADIAL

• SI4840BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

• SQCAEM2R4BAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.4PF 150V 0605

• RT0603DRD07140KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 140K OHM 1/10W .5% 0603 SMD