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SI7900AEDN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7900AEDN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7900AEDN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7900AEDN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7900AEDN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7900AEDN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SQCAEM2R4BAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.4PF 150V 0605
RT0603DRD07140KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 140K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SHIPLBL-089-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 10X8" BLACK ON RED 50/PK
SR891C332KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3300PF 100V 10% RADIAL
SI7892BDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
SQCBEM102KA1ME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
SI4840BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SR217A561JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 500V 5% RADIAL
SQCAEM2R4CAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.4PF 150V 0605
SQCBEM102KAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
SR895C103JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
SR217A680JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 68PF 500V 5% RADIAL
SI4840BDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
SQCAEM2R7BA7WE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.7PF 150V 0605
RT0603DRD0714RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 14.0 OHM 1/10W .5% SMD 0603

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