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SI7904BDN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

SI7904BDN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7904BDN-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7904BDN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：17.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7904BDN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：17.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

SI7904BDN-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：17.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SQCAEM300FAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 30PF 150V 1% 0605
RT0603DRD07158KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 158K OHM 1/10W .5% SMD 0603
SRAH-03C1A00
DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 3A 3.3VDC .9-2.5V SMD
SI7904BDN-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
SQCBEM561KATWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 560PF 150V 10% 1111
SHIPLBL-096
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
SI4874BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
SR217C472MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4700PF 500V 20% RADIAL
SQCAEM300JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 30PF 150V 5% 0605
SRAH-03C1A0R
DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC 3A 3.3V .9-2.5VOUT SM
SQCBEM681KAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 680PF 150V 10% 1111
SHIPLBL-096-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YELLOW 50/PK
SR217C472MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4700PF 500V 20% RADIAL
SI4876DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
SQCAEM300JATME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 30PF 150V 5% 0605

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