SI7922DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:195 毫歐 @ 2.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7922DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:195 毫歐 @ 2.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:Digi-Reel®
SI7922DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:195 毫歐 @ 2.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7922DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:195 毫歐 @ 2.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7922DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:195 毫歐 @ 2.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7922DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:195 毫歐 @ 2.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:Digi-Reel®
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
- 線性 - 視頻處理 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盤 IC DTV TUNER WORLDWIDE 32-QFN
- 涌入電流限制器 (ICL) Ametherm 塑模盤 CURRENT LIMITER INRUSH 1.3OHM 8A
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
- 線性 - 視頻處理 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盤 IC DTV TUNER WORLDWIDE 32-QFN
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 21POS TIN PCB
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 200W