

SI7923DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫歐 @ 6.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7923DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫歐 @ 6.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7923DN-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫歐 @ 6.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:Digi-Reel®
SI7923DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫歐 @ 6.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7923DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫歐 @ 6.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7923DN-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫歐 @ 6.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包裝:Digi-Reel®
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 8.66K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- TVS - 變阻器,MOV TE Connectivity 圓盤 7mm VARISTOR 240VDC 7MM 10% LEADED
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 2200PF 100V 10% AXIAL
- 矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 6-SMD,無引線(DFN,LCC) CONN HOUSING SH 2POS 1MM WHITE
- 接地線,接地帶 3M 16-DIP ESD SOLE GROUNDER 1MEG SMALL
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 12 OHM 1% AXIAL
- TVS - 變阻器,MOV TE Connectivity 圓盤 7mm VARISTOR 360VDC 7MM 10% LEADED
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 6800PF 100V 10% AXIAL
- 矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 6-SMD,無引線(DFN,LCC) CONN HOUSING SH 4POS 1MM WHITE
- 扎帶 Panduit Corp CABLE TIE STANDARD BLK 8.3"
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 150K OHM 1% AXIAL
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V