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SI7923DN-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7923DN-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7923DN-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

SI7923DN-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7923DN-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：帶卷 (TR)

SI7923DN-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包裝：Digi-Reel®

RP10-4812DEW/P
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V
SI7923DN-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 雙 MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
RT1206CRD078K66L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 8.66K OHM 1/4W .25% SMD 1206
ROV07-241K-2
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 7mm VARISTOR 240VDC 7MM 10% LEADED
SA051C222KARC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 2200PF 100V 10% AXIAL
SHR-02V-S-B
矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 6-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 2POS 1MM WHITE
SG1M-SM
接地線，接地帶 3M 16-DIP ESD SOLE GROUNDER 1MEG SMALL
RP10-4812DEW/P/M2
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V
RNMF14FTC12R0
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 12 OHM 1% AXIAL
ROV07-361K
TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤 7mm VARISTOR 360VDC 7MM 10% LEADED
SA051C682KAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 6800PF 100V 10% AXIAL
SHR-04V-S-B
矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 6-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 4POS 1MM WHITE
SG200S-M0
扎帶 Panduit Corp CABLE TIE STANDARD BLK 8.3"
RNMF14FTC150K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 150K OHM 1% AXIAL
RP10-4812DEW/P-HC
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V

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