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SI7960DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7960DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7960DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7960DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7960DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

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VI-B1L-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
SI2302DS,215
FET - 單 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
SI7960DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
VI-B51-EW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SL-124-T-10
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
VI-B0J-IX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-BN4-IY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
SI2303BDS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
VI-B51-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SL-124-T-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
VI-B0J-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-BN4-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
SI2303CDS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

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