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SI9435BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9435BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI9435BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9435BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9435DY詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9435DY詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SLP14R-2
FFC，F(xiàn)PC（扁平軟線(xiàn)）- 連接器 - 面板安裝 FCI 徑向，Can - 卡入式 SLP14R-2-SLP14R-2
RT0805DRD071KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 1.00K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SI9424BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
RT0805DRE0752K3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 52.3K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SG-8003LB-PDC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-TESOP（0.110"，2.80mm 寬） OSC CMOS PROG 2.5V OE SMD
SRBC-16F2A0G
DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模塊 CONV DC/DC .75-3.63 VDC 16A OUT
SR155A391JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 390PF 50V 5% RADIAL
SR201A561JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 100V 5% RADIAL
SR211A102JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 5% RADIAL
SG901-1059-5C
RF 收發(fā)器 Sagrad Inc 模塊 MODULE WIFI 802.11 B/G/N 5V
SRC4184IPAGT
線(xiàn)性 - 音頻處理 Texas Instruments 64-TQFP IC SAMPLE RATE CONV 4CH 64-TQFP
SR201A561JAATR1-
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 100V 5% RADIAL
SR155A391KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 390PF 50V 10% RADIAL
RT0805DRE0754K9L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 54.9K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SLP152M100E1P3
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 100V 20% SNAP

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