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SIE810DF-T1-GE3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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SIE810DF-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 25A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：13000pF @ 10V
功率_最大：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：10-PolarPAK?（L）
包裝：帶卷 (TR)

SIE810DF-T1-GE3供應(yīng)商

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