SK3R3M350ST 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SK3R3M350ST詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 3.3UF 350V 20% RADIAL

系列：SK

制造商：Cornell Dubilier Electronics (CDE)

電容：3.3µF

額定電壓：350V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時為 2000 小時

工作溫度：-25°C ~ 85°C

特點：通用

紋波電流：35mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：80.42 歐姆

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.394" 直徑（10.00mm）

高度_座高（最大）：0.512"（13.00mm）

引線間隔：0.197"（5.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• SI7382DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC

• SI5519DU-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? CHIPFET? 雙    MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET

• SMAJ110-E3/61

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS UNIDIR 300W 110V 10% SMA

• SK38-TP

  單二極管/整流器    Micro Commercial Co    DO-214AB，SMC    RECT SCHOTTKY 3A 80V DO-214AB

• SSQE48T20025-NABNG

  DC DC Converters    Power-One        DC/DC SIXTEENTH BRICK

• RT1206DRE07330KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 330K OHM 1/4W .5% SMD 1206

• RYM12DTBS-S189

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD

• SI4435DY

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

• SMAJ11A-E3/61

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA

• SI7384DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC

• SSQE48T20033-NABNG

  DC DC Converters    Power-One    8-DIP 模塊，1/16 磚    CONVERTER DC-DC 3.3V 20A

• RT1206DRE07330RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 330 OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SI4436DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

• RYM12DTBT-S189

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD

• SI5855CDC-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SMD，扁平引線    MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8