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SP8K22FU6TB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：45V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8K24FU6TB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 45V 6A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：45V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8K2FU6TB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8K2TB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SP8K2TB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SP8K2TB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SPI-42-P2-U4
軟件 Lattice Semiconductor Corporation TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA IP CORE SPI 4.2 ECP2 USER CONFIG
VI-BNH-MX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
VI-B6R-MW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
SP8K2FU6TB
FET - 陣列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC
VI-J1H-MY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W
VI-B7K-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
SPI73N03S2L-08
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
VI-J2T-CY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 50W
VI-BNJ-CU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W
VI-J1H-MY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W
VI-B7K-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
VI-J2T-CY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 50W
SPI80N04S2-04
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
VI-BNJ-CV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W
VI-B6R-MX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W

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