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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SP8M5TB 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SP8M5TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A，7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

SP8M5TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A，7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)

SP8M5TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A，7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：Digi-Reel®

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