SPB2 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SPB2詳細(xì)規(guī)格

類別：箱 - 元件

描述：PANEL SWING KIT

系列：SPB

制造商：Hammond Manufacturing

類型：面板套件

特性：鉸鏈?zhǔn)?/dd>

配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品：1418、C3R-HCLO、C3R-HCR 系列

大小/尺寸：-

顏色：-

材料：-

SPB20N60C3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：650V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：114nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V

功率_最大：208W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

SPB20N60S5詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：103nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 25V

功率_最大：208W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

SPB20N60S5詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：103nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 25V

功率_最大：208W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：Digi-Reel®

SPB20N60S5詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：103nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 25V

功率_最大：208W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：剪切帶 (CT)

SPB21N10詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 15A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 44µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：865pF @ 25V

功率_最大：90W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

• SA055C103KAA

  陶瓷    AVX Corporation    軸向    CAP CER 10000PF 50V 10% AXIAL

• SS10-3

  電路板襯墊，支座    Richco Plastic Co    徑向，Can    SPACER RND PLAST #10SCREW 3/8"

• SLL-06

  配件    Omron Electronics Inc-EMC Div        INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR

• SPB20N60S5

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

• SPN03N60C3

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223

• SRT2-ID32ML

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS

• T491D336K016AS

  鉭    Kemet    2917（7343 公制）    CAP TANT 33UF 16V 10% 2917

• SS-103-G-2

  板至板 - 接頭，插座，母插口    Samtec Inc    徑向，Can    CONN RCPT .100" 3POS GOLD T/H

• SA055C103MAR

  陶瓷    AVX Corporation    軸向    CAP CER 10000PF 50V 20% AXIAL

• SPN03N60S5

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223

• T491D336K020AS

  鉭    Kemet    2917（7343 公制）    CAP TANT 33UF 20V 10% 2917

• SRT2-ID32ML

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS

• SS-105-TT-2

  板至板 - 接頭，插座，母插口    Samtec Inc    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    CONN RCPT .100" 5POS TIN T/H

• SA055C104MAA

  陶瓷    AVX Corporation    軸向    CAP CER 0.1UF 50V 20% AXIAL

• SLL-06H

  配件    Omron Electronics Inc-EMC Div        INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR