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SPB80N03S2-03詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：P-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2-03 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2L-03詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8180pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：P-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2L-03 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8180pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：P-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2L-04詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3900pF @ 25V; 功率_最大：188W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：P-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2L-04 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3900pF @ 25V; 功率_最大：188W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：P-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

VI-J4D-CW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
VI-BNB-MX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W
VI-B6Y-CU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 132W
SPB80N03S2L-03
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
VJ1210A430JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 43PF 1.5KV 5% NP0 1210
VI-B7M-MY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
SQ48T15012-NDB0
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊 DC/DC CONVERT 1.2V 15A
SQCB7M2R4CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.4PF 500V 1111
VI-J4D-CW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
VI-B6Y-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VJ1210A470JXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 47PF 1KV 5% NP0 1210
VI-B7N-CW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W
SQCB7M2R4CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.4PF 500V 1111
SQ48T15015-NAC0
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊 DC/DC CONVERT 1.5V 15A
VI-BND-CW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W

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