SPD09P06PL 全國供應商、價格、PDF資料
SPD09P06PL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 6.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:Digi-Reel®
SPD09P06PL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 6.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
SPD09P06PL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 6.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
SPD09P06PL G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9.7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 6.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 25V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 鉭 Kemet CAP TANT 10UF 6V 20% SMD
- 鉭 Kemet CAP TANT 150UF 20V 20% SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 100PF 200V 1% AXIAL
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
- 鉭 Kemet 1206(3216 公制) CAP TANT 15UF 6.3V 10% 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 680PF 100V 2% AXIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 100PF 200V 10% AXIAL
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 180V 20% SNAP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
- 鉭 Kemet 1206(3216 公制) CAP TANT 15UF 6.3V 10% 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 680PF 100V 5% AXIAL
- 鉚釘 Richco Plastic Co 徑向,Can - 卡入式 SNAP LATCH WHITE 0.142" - 0.228"
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD MOSFET N-CH 30V 100A DPAK