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SPD30N03S2L-07詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPD30N03S2L-07詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SPD30N03S2L-07 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPD30N03S2L07T詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPD30N03S2L-10詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

SPD30N03S2L-10詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SMCJ51AHE3/9AT
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 51V 10% SMC
SPD30N03S2L-07 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
MS27467T25F35J
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 128POS STRGHT W/SKT
SQCSVA1R2BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1.2PF 250V 0603
MS27468T19F11HA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 11POS JAM NUT W/PINS
MS27466E11F4P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS WALL MT W/PINS
SMDJ13CA
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 13V 3000W 5% BI SMD
MS27467T11F98B
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
SMCJ51A-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 51V UNIDIRECT SMC
SQCSVA1R8BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1.8PF 250V 0603
MS27468T19F11HA-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 11POS PIN
MS27466E13A98P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 10POS WALL MT W/PINS
SMDJ14
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 14V 3000W 10% UNI SMD
MS27467T11F98BC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
SMCJ51CA
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 51V 1500W BIDIR 5% SMC

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