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SPP08P06P 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SPP08P06P詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.8A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 6.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:420pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:管件

SPP08P06P H詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8.8A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 6.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:420pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:PG-TO220-3
包裝:管件

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