SQJ840EP-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SQJ840EP-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 10.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 15V

功率_最大：46W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8

包裝：帶卷 (TR)

• SR275C104KAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.1UF 50V 10% RADIAL

• SDSDM-512

  存儲器，PC 卡    SanDisk    非標準    MEMORY CARD MINI SD 512MB

• SQCB7M2R7CAT1A

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 2.7PF 500V 1111

• SPP-6B400

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    熔絲連接環(huán)    FUSE MOD 400A 700V BLADE

• SQJ412EP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

• SFR2500001054FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 1.05M OHM MET FILM .40W 1%

• RT1206BRD07680RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 680 OHM 1/4W .1% SMD 1206

• RT0603DRD0728KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 28K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SDSDM-64-K

  存儲器，PC 卡    SanDisk    非標準    MEMORY CARD MINI SD 64MB W/ADPT

• SPP-7E1000

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    熔絲連接環(huán)    FUSE MOD 1000A 700V BLADE

• SQCB7M2R7CATME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 2.7PF 500V 1111

• SFR2500001070FR500

  通孔電阻器    Vishay BC Components    軸向    RES 107 OHM METL FILM .40W 1% T/

• RT1206BRD0768RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 68.0 OHM 1/4W .1% SMD 1206

• RT0603DRD0728RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 28.0 OHM 1/10W .5% SMD 0603

• SR275C224KAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL