SS8050 全國供應商、價格、PDF資料

SS8050BBU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：85 @ 100mA，1V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

SS8050CBU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 100mA，1V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

SS8050CTA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 100mA，1V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

SS8050CTA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 100mA，1V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

SS8050DBU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

SS8050DTA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

• TNPW120626K1BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 26.1K OHM 1/4W 0.1% 1206

• SS341RT

  磁性 - 霍爾效應，數(shù)字式開關，線性，羅盤 (IC)    Honeywell Sensing and Control    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD

• NTA4001NT1G

  FET - 單    ON Semiconductor    SC-75，SOT-416    MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416

• TJ1-STUDIO

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        TRAJEXIA STUDIO

• SS-7488S-GG-PG4-BA

  模塊 - 插孔    Stewart Connector    TO-277，3-PowerDFN    CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED

• TNPW120626K7BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 26.7K OHM 1/4W 0.1% 1206

• SRT2-OD04

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        4PT NPN TRANSISTOR OUT

• SS341RT

  磁性 - 霍爾效應，數(shù)字式開關，線性，羅盤 (IC)    Honeywell Sensing and Control    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD

• NTA4153NT1G

  FET - 單    ON Semiconductor    SC-75，SOT-416    MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

• SRT2-OD04

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        4PT NPN TRANSISTOR OUT

• TNPW120626R7BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 26.7 OHM 1/4W 0.1% 1206

• NTA4153NT1G

  FET - 單    ON Semiconductor    SC-75，SOT-416    MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

• SS343RT

  磁性 - 霍爾效應，數(shù)字式開關，線性，羅盤 (IC)    Honeywell Sensing and Control    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD

• SS-82000-002

  模塊 - 插孔    Stewart Connector        CONN MOD JACK 8P8C

• TJ1-TOOLS 1.0

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        MOTION PERFECT & CX-DRIVE V1.2