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» 型號"SSM3J115TU(TE85L)"的供應信息
SSM3J115TU(TE85L) 全國供應商、價格、PDF資料
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SSM3J115TU(TE85L)詳細規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫歐 @ 1A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:568pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:UFM(2.0x2.1)
包裝:Digi-Reel®
SSM3J115TU(TE85L)詳細規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫歐 @ 1A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:568pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:UFM(2.0x2.1)
包裝:帶卷 (TR)
SSM3J115TU(TE85L)詳細規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:98 毫歐 @ 1A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:568pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:UFM(2.0x2.1)
包裝:剪切帶 (CT)
SSM3J115TU(TE85L)供應商
SSM3J115TU(TE85L)
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
SSM3J115TU(TE85L)
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
SSM3J115TU(TE85L)
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多SSM3J115TU(TE85L)的供應商
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SSM3J129TU(TE85L)
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC
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