SST440 全國供應商、價格、PDF資料

SST4401T116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SST3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：200mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SST3

包裝：帶卷 (TR)

SST4401T116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SST3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：200mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SST3

包裝：剪切帶 (CT)

SST4401T116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SST3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：200mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SST3

包裝：Digi-Reel®

SST4403T116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SST3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：200mW

頻率_轉換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SST3

包裝：Digi-Reel®

SST4403T116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SST3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：200mW

頻率_轉換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SST3

包裝：帶卷 (TR)

SST4403T116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SST3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：200mW

頻率_轉換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SST3

包裝：剪切帶 (CT)

• MNR14E0APJ105

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206

• SI4488DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 8-SOIC

• SST39WF800B-70-4C-C2QE

  存儲器    Microchip Technology    48-XFLGA    IC FLASH MPF 8MBIT 70NS 48XFLGA

• RT16016

  配件    TE Connectivity    9-LBGA    ACCY HOLD DOWN SPRING DIN SCKT

• SR215A102KAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 1000PF 50V 10% RADIAL

• SI4322DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

• MNR14E0APJ133

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 13K OHM 4 RES 1206

• SM6T150A

  TVS - 二極管    STMicroelectronics    DO-214AA，SMB    TRANSIL 600W 150V UNIDIR SMB

• SI4532CDY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

• SR215A102KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 1000PF 50V 10% RADIAL

• SI4330DY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• SM6T150AHE3/52

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AA，SMB    TVS UNIDIR 600W 150V 5% SMB

• MNR14E0APJ150

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 15 OHM 4 RES 1206

• SR215A102KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 1000PF 50V 10% RADIAL

• SI4539ADY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC