

STB80NF55-06-1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:189nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:I2PAK
- 包裝:管件
STB80NF55-06T4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:189nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
STB80NF55-06T4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:189nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
STB80NF55-06T4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:189nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
STB80NF55-08-1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:155nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3850pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:I2PAK
- 包裝:管件
STB80NF55-08T4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:155nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3850pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO R/A 5PIN 3.5MM
- PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC SUPERVISOR 5V 4.38V 8-TSSOP
- TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AB,SMC DIODE TVS 130V 1500W BI 5% SMD
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- 微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 200 OHM 0.25W SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 3.01 OHM 1W 1% WW 2615
- IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT N-CH 8A 600V D2PAK
- 存儲器 Microchip Technology 32-TFSOP(0.488",12.40mm 寬) IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 32TSOP
- 套管 - 音頻 CUI Inc 6-PowerPair? CONN AUDIO JACK 4COND 2.5MM PCB
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 13V 5% SMC
- 微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 3.09 OHM 1W 1% WW 2615
- IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT HYPERFAST 600V 6A D2PAK
- 存儲器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA
- 套管 - 音頻 CUI Inc CONN AUDIO JACK 4COND 2.5MM SMD