

STB9NK60ZDT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
STB9NK60ZDT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
STB9NK60ZDT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
STB9NK60ZT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D²PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
STB9NK60ZT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D²PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
STB9NK60ZT4詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫歐 @ 3.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D²PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS BIDIRECT 1500W 150V SMC
- 扎帶 3M RECLOSABLE FASTENR 1/2"X10YD BLK
- PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) SUPERVISOR 5V SWITCH OVER 8SOIC
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC MCU 8BIT 8K FLASH 20-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 909 OHM 1W 1% WW 2615
- IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-220-3 IGBT N-CHAN 600V 30A TO-220
- 存儲器 Microchip Technology 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS BIDIRECT 1500W 150V SMC
- 扎帶 3M HOOK PLAIN BACK 5/8" X 50YD BLK
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC MCU 8BIT 8K FLASH 20SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 931 OHM 1W 1% WW 2615
- 存儲器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 48TFBGA
- IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-220-3 IGBT N-CH 8A 600V TO-220
- 扎帶 3M DUAL LOCK PLAIN 1"X1YD BLK 250
- PMIC - 監(jiān)控器 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) SUPERVISOR 3V SWITCH OVER 8SOIC