STD12NF06-1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：315pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
- 供應商設備封裝：I-Pak
- 包裝：管件
STD12NF06L-1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
- 供應商設備封裝：I-Pak
- 包裝：管件
STD12NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
STD12NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
STD12NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
STD12NF06T4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：315pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
- TVS - 二極管 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TVS ZENER 40W 27V DUAL CC SOT23
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 25V 20% 2824
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 680UF 50V 20% RADIAL
- 矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc CONN HEADER 82POS .100" DL GOLD
- 邏輯 - 觸發(fā)器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC FLIP FLOP D-TYPE DUAL 14SOIC
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC MOSFET DVR .5A HS 8DIP
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
- TVS - 二極管 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TVS ZENER 40W 27V DUAL SOT-23
- 晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR NPN HV 300V SOT89
- 邏輯 - 觸發(fā)器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DUAL D-TYPE FLIP-FLOP 14TSSOP
- 矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc CONN HEADER 82POS .100" DL GOLD
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DVR 1A HS 8SOIC
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 35V 20% 2824
0755-82575207 
18026926850/0 
