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STD20NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
STD20NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
STD20NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
STD20NF06T4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
STD20NF06T4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
STD20NF06T4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 12A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.0V SOD123
- 矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc CONN HEADER 42POS .100" SGL GOLD
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC GATE POS-NOR QUAD 2IN 14TSSOP
- FET - 單 STMicroelectronics TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- 邏輯 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引線） IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC
- 網(wǎng)絡、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 100K OHM 4 RES 1206
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 330UF 10V 20% 2824
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC HEX INVERTER 14-SOIC
- 邏輯 - 奇偶校驗發(fā)生器和校驗器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引線） IC PARITY GEN/CHKER 12BIT 28PLCC
- 網(wǎng)絡、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.6V SOD123
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
- 鉭 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 330UF 10V 20% 2824
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC HEX INVERTER 14-SOIC
0755-83202411 
0755-23914006 
