STD30NF06詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
STD30NF06詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
STD30NF06詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
STD30NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
STD30NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
STD30NF06LT4詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 其它 Omron Electronics Inc-EMC Div SENSOR I/O CONNECTOR
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W
- FET - 單 Diodes Inc SC-74A，SOT-753 MOSFET P-CH 200V 122MA SOT23-5
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
- 三端雙向可控硅開關 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRIAC 4-QUADRANT 800V 1A TO-92
- FET - 單 Toshiba SC-75，SOT-416 MOSFET N CH 30V 100MA 2-2H1B
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) 3017 J 形引線 RES 1.0K OHM .60W .01% Z-FOIL SM
- 矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 8-SIP 模塊 CONN RECEPT HOUSING 12POS ZE
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W
- 其它 Omron Electronics Inc-EMC Div SENSOR I/O CONNECTOR
- 三端雙向可控硅開關 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRIAC 4-QUADRANT 800V 1A TO-92
- FET - 單 Toshiba SOT-723 MOSFET N CH 30V 100MA U-MOS III
- 矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 8-SIP 模塊 CONN RECEPT HOUSING 16POS ZE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) 3017 J 形引線 RES 5.0K OHM .60W .01% Z-FOIL SM
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W
0755-82575207 
0755-23914006 
