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STD3NM60-1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3A IPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

STD3NM60N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.65A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：188pF @ 50V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

STD3NM60N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.65A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：188pF @ 50V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

STD3NM60N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 1.65A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：188pF @ 50V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

STD3NM60T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

STD3NM60T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

TNPW1206274RBEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 274 OHM 1/4W 0.1% 1206
STPMS1BPQR
接口 - 傳感器和探測器接口 STMicroelectronics 16-VQFN IC SMART SENSOR ASSP W/PGA 16QFN
OSTEV116151
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 11PS 10.16MM
STD3NM50T4
FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
STM8L151K4U6
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 32-UFQFN 裸露焊盤 MCU 8BIT 16K FLASH 32UFQFPN
SRR1260-181K
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 180UH 1.4A SMD
TNPW120627K4BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 27.4K OHM 1/4W 0.1% 1206
STPMS2H-PUR
接口 - 傳感器和探測器接口 STMicroelectronics 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SMART SENSOR II 2CH 16QFN
OSTEV126151
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 12PS 10.16MM
SRR1260-2R2Y
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 2.2UH 8.2A SMD
TNPW1206287RBEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 287 OHM 1/4W 0.1% 1206
OSTEV176150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 17PS 10.16MM
STM8L152C8T6
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 48-LQFP MCU 8BIT 64K FLASH 48LQFP
STD40NF3LLT4
FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
STPR1020CB
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DIODE ULTRA FAST REC DPAK