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STN3NF06詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：315pF @ 25V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

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STN3NF06L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT223; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

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DC DC Converters GE 6-DIP SMD 模塊 CONVERT DC/DC 5V 15W OUT SMD TR

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