STP11NM60 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

STP11NM60詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

系列：MDmesh™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：650V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 25V

功率_最大：160W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

STP11NM60A詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

系列：MDmesh™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1211pF @ 25V

功率_最大：110W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

STP11NM60FD詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

系列：FDmesh™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V

功率_最大：160W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

STP11NM60FDFP詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

系列：FDmesh™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220FP

包裝：管件

STP11NM60FP詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

系列：MDmesh™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220FP

包裝：管件

STP11NM60N詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

系列：MDmesh™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫歐 @ 5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V

功率_最大：90W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

• STP10NM60ND

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-220-3    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

• TP2-MC-1.250

  標(biāo)簽，標(biāo)記    TE Connectivity    非標(biāo)準(zhǔn)    LABEL IDENTIFICATION TAPE

• STPS30M60CG-TR

  二極管，整流器 - 陣列    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK

• TNPW12064K22BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 4.22K OHM 1/4W 0.1% 1206

• SRR6603-2R2ML

  固定式    Bourns Inc.    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 2.2UH SMD

• STP11NM60FP

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

• STEVAL-IHT004V1

  評估演示板和套件    STMicroelectronics        BOARD EVAL HT TRIACS/ST7LITE1B

• STPS30M60D

  單二極管/整流器    STMicroelectronics    TO-220-2    DIODE SCHOTTKY 60V 30A TO-220AC

• TP2-R47-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTR THIN CHIP .47UH 2.2A SMD

• STEVAL-IKA001V1

  配件    STMicroelectronics        BOARD EVAL FOR STM32

• STPS30M60SR

  單二極管/整流器    STMicroelectronics    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    DIODE SCHOTTKY 60V 30A I2PAK

• TP3057WMX

  接口 - 編解碼器    Texas Instruments    *    IC INTERFACE ENHANCED SER 16SOIC

• SRR6603-680ML

  固定式    Bourns Inc.    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR 68UH SMD POWER

• TNPW12064K64BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 4.64K OHM 1/4W 0.1% 1206

• STP11NM65N

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-220-3    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220