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STP200N4F3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220-3; 包裝：管件

STP200N6F3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6800pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP200NF03詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4950pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP200NF04詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 90A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP200NF04L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 50A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

STP20N20詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

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